Entwicklungsingenieur in - Vierpolige Transistoren & MM
Entwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren & MM-Wellen-Schaltungen
Original-Inserat anzeigenEntwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren MM-Wellen-Schaltungen
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF, Freiburg im Breisgau
Jetzt bewerben » Ort: Freiburg Entwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren MM-Wellen-Schaltungen Die Fraunhofer-Gesellschaft (
www.fraunhofer.de
) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 000 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 2,9 Milliarden Euro. Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF zählt zu den führenden Forschungseinrichtungen weltweit auf den Gebieten der III-V-Halbleiter und des synthetischen Diamanten. Wir erforschen und entwickeln gemeinsam mit unseren Partnern aus Industrie und Wissenschaft elektronische, optoelektronische sowie quantentechnologische Bauelemente und Systeme. Dabei stehen Forschung und Entwicklung für Anwendungen in den Bereichen Sicherheit, Gesundheit, Energie, Information und Kommunikation im Vordergrund. Was Sie bei uns tun Ihre Tätigkeitsbereiche liegen in der Entwicklung vereinfachter Simulationsmodelle von (vierpoligen) Hochfrequenz-Bauelementen und Schaltungen auf Basis verschiedener III-V-Verbindungshalbleiter im Frequenzbereich von 0,1 GHz bis über 300 GHz. Für die Charakterisierung dieser Bauelemente stehen am Institut hochmodern ausgerüstete Labore mit neuster Messtechnik zur Verfügung. Die Simulationsmodelle finden Verwendung im Entwurf von monolithisch integrierten Schaltungen für vielfältige Anwendungsgebiete in den Bereichen Sensorsysteme, Kommunikation und Raumfahrt. Was Sie mitbringen Sie verfügen über ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) der Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Nachrichtentechnik, Physik oder eine vergleichbare Qualifikation, idealerweise mit Promotion. Dazu bringen Sie erste Erfahrung in der Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Bauelementen im Hochfrequenzbereich mit. Praxis in der Entwicklung von Hochfrequenz-Schaltungen ist von Vorteil. Sie haben Kenntnisse im Umgang mit Schaltungssimulations- und 3D-Feldsimulationsprogrammen wie z. B. Keysight Advanced Design System (ADS) und CST Microwave Studio. Idealerweise kennen Sie sich in der Akquise und Leitung von Förderprojekten aus. Ihre Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten, sowie ein selbstständiger wissenschaftlicher Arbeitsstil zeichnen Sie aus. Verhandlungssicheres Deutsch und Englisch, gute Team- und Kommunikationsfähigkeiten sowie Freude an experimenteller Arbeit runden Ihr Profil ab. Was Sie erwarten können Eine offene und teamorientierte Unternehmenskultur Ein modern ausgestattetes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Mitgestalten Forschung auf hohem internationalem Level an weltweit vorderster Front der Hochfrequenzelektronik Eine enge Zusammenarbeit mit den institutseigenen Arbeitsgruppen auf dem Gebiet der Schaltungsentwicklung, Mess- und Aufbautechnik Enge Kontakte zu in- und ausländischen Forschungseinrichtungen sowie zur Industrie und zu öffentlichen Auftraggebern Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote Umfangreiche Zusatzleistungen wie betriebliche Altersvorsorge (VBL), Jobticket und Sportangebote (z. B. Pilates) Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (u. a. mobiles Arbeiten, Mit-Kind-Büro, Beratungsleistungen im Bereich Home- und Eldercare) Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen - unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf 3 Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren. Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft. Haben wir Ihr Interesse geweckt? Dann bewerben Sie sich jetzt online mit Ihren aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen (Anschreiben, Lebenslauf, Zeugnisse). Bitte beachten Sie, dass wir keine Bewerbungen per E-Mail berücksichtigen können. Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen! Fragen zu dieser Ausschreibung beantwortet Ihnen gerne: Kathrin Escher recruiting& iaf.fraunhofer.de Fraunhofer IAF Personalabteilung Tullastraße 72 79108 Freiburg Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
www.iaf.fraunhofer.de
Kennziffer: 66108
Job merken
Entwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren & MM-Wellen-Schaltungen
Job merkenOriginal-Inserat anzeigen
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
mehr...
zur Vakanz