Doktorandin/Doktorand (w/m/d) HfO2-based materials and devices for neuromorphic

Kennziffer: EM 2019/30

Das Institut Funktionale Oxide für die energieeffiziente Informationstechnologie arbeitet an der Entwicklung funktionaler Oxide in dünnen Filmen und Nanostrukturen für die energieeffiziente Datenerfassung und -verarbeitung. Dabei richten wir unseren Fokus auf die Materialsynthese, die detaillierte Charakterisierung der Struktur mithilfe fortschrittlicher Methoden sowie auf den Transport und die optischen Eigenschaften in verschiedenen Arten von Materialien und Anordnungen. Wir arbeiten eng zusammen mit verschiedenen Forschungseinrichtungen und Universitäten.

Der Doktorand wird im Rahmen eines europäischen Horizon 2020-Projekts (Informations- und Kommunikationstechnologien) arbeiten, das sich mit der Integration ferroelektrischer synaptischer Bauteile für fortgeschrittene neuromorphe Prozessoren befasst. Er / sie wird sich auf die ferroelektrische HfO2-basierte Filmsynthese durch Atomlagenabscheidung konzentrieren, mit dem Ziel, Mechanismen geringer Wärmelast für die Integration in das CMOS-Backend entwickeln. Der Kandidat wird detaillierte Charakterisierungen der Kristallstruktur, der Mikro-/Nanostruktur sowie der ferroelektrischen und elektrischen Eigenschaften, einschließlich der grundlegenden elektrischen Eigenschaften kapazitiver Schichtsysteme, durchführen. Er/sie wird eng mit den akademischen und industriellen Partnern des Projekts zusammenarbeiten.

Unsere Mitarbeiter profitieren von der dynamischen und modernen Infrastruktur am HZB (einschließlich einer Synchrotronquelle) in Kombination mit der exzellenten Berliner Forschungslandschaft. Wir arbeiten in einem vielseitigen Team in internationalen Kooperationen.

Aufgabengebiete

• Synthese ferroelektrischer Filme auf HfO2 Basis durch Atomlagenabscheidung
• Entwicklung einer Methode zur Kristallisation der ferroelektrischen Phase bei niedriger Temperatur
• Strukturelle und nano-/mikrostrukturelle Charakterisierung der Filme (XRD, XPS, Raman…)
• Untersuchung der ferroelektrischen Eigenschaften
• Grundlegende elektrische Charakterisierung kapazitiver Schichtsysteme
• Wissenschaftliche Publikation und Präsentation der Forschungsergebnisse auf internationalen Konferenzen

Anforderungen

• Master oder gleichwertiger Abschluss in Physik, Chemie oder Materialwissenschaften mit herausragenden akademischen Leistungen
• Forschungserfahrung mit dünnen Filmen oder Nanostruktursynthese
• Forschungserfahrung im Bereiche der Oxide und/oder Halbleitermaterialien
• Erfahrung mit Materialanalysetechnicken wie Röntgenstrahlbeugung, Rastersondenmikroskopien (AFM, PFM, ...), Ramanspektroskopie erwünscht
• Sehr gutes Englisch in Wort und Schrift
• Hohes Engagement und Enthusiasmus sowie eine teamorientierte und kommunikative Herangehensweise in der Zusammenarbeit

Der Arbeitsvertrag ist über 36 Monate befristet. Die Bezahlung erfolgt nach dem Tarifvertag für den öffentlichen Dienst (TVöD-Bund).
Wir bemühen uns, den Anteil an Mitarbeiterinnen zu erhöhen und freuen uns daher besonders über Bewerbungen von Frauen. Schwerbehinderte Bewerberinnen/Bewerber werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Wir freuen uns auf Ihre Bewerbung über unser Bewerbungsmanagementsystem bis zum 15.11.2019. Aus datenschutzrechtlichen Gründen können wir Bewerbungen, die uns per E-Mail oder auf postalischem Weg erreichen, leider nicht im Bewerbungsverfahren berücksichtigen.

For English version, please click on the following link:
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB) operates two large facilities for materials research: the neutron source BER II and the synchrotron source BESSY II, which provide deep insights into the structure of materials and the processes within complex systems. Other important focuses of HZB research are thin film photovoltaics and solar fuels. Each year around 3,000 scientists use the HZB infrastructure facilities.

SCIENCE + CAREER + DIVERSITY = HZB

... is the formula for our successful human resources policy. We offer wide-ranging internal and external training programs for our employees as well as a special support program for young scientists. Our family-friendly workplace policy includes flexible working hours and telework arrangements.

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Prof. Dr. Catherine Dubourdieu

Doktorandin/Doktorand (w/m/d)"HfO2-based materials and devices for neuromorphic applications "

Kennziffer: EM 2019/30

Das Institut Funktionale Oxide für die energieeffiziente Informationstechnologie arbeitet an der Entwicklung funktionaler Oxide in dünnen Filmen und Nanostrukturen für die energieeffiziente Datenerfassung und -verarbeitung. Dabei richten wir unseren Fokus auf die Materialsynthese, die detaillierte Charakterisierung der Struktur mithilfe fortschrittlicher Methoden sowie auf den Transport und die optischen Eigenschaften in verschiedenen Arten von Materialien und Anordnungen. Wir arbeiten eng zusammen mit verschiedenen Forschungseinrichtungen und Universitäten.

Der Doktorand wird im Rahmen eines europäischen Horizon 2020-Projekts (Informations- und Kommunikationstechnologien) arbeiten, das sich mit der Integration ferroelektrischer synaptischer Bauteile für fortgeschrittene neuromorphe Prozessoren befasst. Er / sie wird sich auf die ferroelektrische HfO2-basierte Filmsynthese durch Atomlagenabscheidung konzentrieren, mit dem Ziel, Mechanismen geringer Wärmelast für die Integration in das CMOS-Backend entwickeln. Der Kandidat wird detaillierte Charakterisierungen der Kristallstruktur, der Mikro-/Nanostruktur sowie der ferroelektrischen und elektrischen Eigenschaften, einschließlich der grundlegenden elektrischen Eigenschaften kapazitiver Schichtsysteme, durchführen. Er/sie wird eng mit den akademischen und industriellen Partnern des Projekts zusammenarbeiten.

Unsere Mitarbeiter profitieren von der dynamischen und modernen Infrastruktur am HZB (einschließlich einer Synchrotronquelle) in Kombination mit der exzellenten Berliner Forschungslandschaft. Wir arbeiten in einem vielseitigen Team in internationalen Kooperationen.

Aufgabengebiete

• Synthese ferroelektrischer Filme auf HfO2 Basis durch Atomlagenabscheidung
• Entwicklung einer Methode zur Kristallisation der ferroelektrischen Phase bei niedriger Temperatur
• Strukturelle und nano-/mikrostrukturelle Charakterisierung der Filme (XRD, XPS, Raman…)
• Untersuchung der ferroelektrischen Eigenschaften
• Grundlegende elektrische Charakterisierung kapazitiver Schichtsysteme
• Wissenschaftliche Publikation und Präsentation der Forschungsergebnisse auf internationalen Konferenzen

Anforderungen

• Master oder gleichwertiger Abschluss in Physik, Chemie oder Materialwissenschaften mit herausragenden akademischen Leistungen
• Forschungserfahrung mit dünnen Filmen oder Nanostruktursynthese
• Forschungserfahrung im Bereiche der Oxide und/oder Halbleitermaterialien
• Erfahrung mit Materialanalysetechnicken wie Röntgenstrahlbeugung, Rastersondenmikroskopien (AFM, PFM, ...), Ramanspektroskopie erwünscht
• Sehr gutes Englisch in Wort und Schrift
• Hohes Engagement und Enthusiasmus sowie eine teamorientierte und kommunikative Herangehensweise in der Zusammenarbeit

Der Arbeitsvertrag ist über 36 Monate befristet. Die Bezahlung erfolgt nach dem Tarifvertag für den öffentlichen Dienst (TVöD-Bund).
Wir bemühen uns, den Anteil an Mitarbeiterinnen zu erhöhen und freuen uns daher besonders über Bewerbungen von Frauen. Schwerbehinderte Bewerberinnen/Bewerber werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt.

Wir freuen uns auf Ihre Bewerbung über unser Bewerbungsmanagementsystem bis zum 15.11.2019. Aus datenschutzrechtlichen Gründen können wir Bewerbungen, die uns per E-Mail oder auf postalischem Weg erreichen, leider nicht im Bewerbungsverfahren berücksichtigen.

For English version, please click on the following link:
Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB) operates two large facilities for materials research: the neutron source BER II and the synchrotron source BESSY II, which provide deep insights into the structure of materials and the processes within complex systems. Other important focuses of HZB research are thin film photovoltaics and solar fuels. Each year around 3,000 scientists use the HZB infrastructure facilities.

SCIENCE + CAREER + DIVERSITY = HZB

... is the formula for our successful human resources policy. We offer wide-ranging internal and external training programs for our employees as well as a special support program for young scientists. Our family-friendly workplace policy includes flexible working hours and telework arrangements.

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